型号: | XP3C023AMT |
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产品分类: | FET、MOSFET 阵列 |
制造商: | YAGEO XSEMI |
描述: | MOSFET N AND P- |
封装: | - |
包装: | 卷带式 (TR) |
RoHS 状态: | 1 |
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数量
价格
总价
1
$1.9000
$1.9000
10
$1.5800
$15.8000
100
$1.2600
$126.0000
500
$1.0600
$530.0000
1000
$0.9000
$900.0000
3000
$0.8600
$2,580.0000
6000
$0.8200
$4,920.0000
9000
$0.8000
$7,200.0000
类型 | 描述 |
制造商 | YAGEO XSEMI |
系列 | XP3C023A |
包裹 | 卷带式 (TR) |
产品状态 | ACTIVE |
包装/箱 | 8-PowerLDFN |
安装类型 | Surface Mount |
配置 | N and P-Channel |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
功率 - 最大 | 3.57W (Ta) |
漏源电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 10A (Ta) |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 2320pF @ 15V, 2480pF @ 15V |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 10.4mOhm @ 10A, 10V, 23.5mOhm @ 7.5A, 10V |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 19.2nC @ 4.5V, 21.6nC @ 4.5V |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 1mA |
供应商设备包 | PMPAK® 5 x 6 |