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正升源
| 型号： | XP10TN135N |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | YAGEO XSEMI |
| 描述： | MOSFET N-CH 100 |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| RoHS 状态： | 1 |
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数量
价格
总价
1
$0.4800
$0.4800
10
$0.4100
$4.1000
100
$0.2800
$28.0000
500
$0.2200
$110.0000
1000
$0.1800
$180.0000
3000
$0.1600
$480.0000
6000
$0.1500
$900.0000
9000
$0.1400
$1,260.0000
30000
$0.1400
$4,200.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | YAGEO XSEMI |
| 系列 | XP10TN135 |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 135mOhm @ 2A, 10V |
| 功耗（最大） | 1.38W (Ta) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备包 | SOT-23 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 100 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 20 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 980 pF @ 25 V |
