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正升源
| 型号： | PSMN6R0-30YLD/2X |
|---|---|
| 产品分类： | 单 FET、MOSFET |
| 制造商： | Nexperia |
| 描述： | PSMN6R0-30YLD/S |
| 封装： | - |
| 包装： | 卷带式 (TR) |
| RoHS 状态： | 1 |
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数量
价格
总价
1500
$0.2500
$375.0000
3000
$0.2300
$690.0000
7500
$0.2100
$1,575.0000
10500
$0.2000
$2,100.0000
37500
$0.2000
$7,500.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Nexperia |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | SC-100, SOT-669 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应管类型 | N-Channel |
| 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
| Rds On（最大）@Id、Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V |
| 功耗（最大） | 47W (Tc) |
| Vgs(th)（最大值）@Id | 2.2V @ 1mA |
| 供应商设备包 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） | 4.5V, 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 漏源电压 (Vdss) | 30 V |
| 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs | 13.7 nC @ 10 V |
| 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds | 832 pF @ 15 V |
